DRAM Taxonomy
DRAM分類マトリックス
DRAM は 汎用DDR・モバイルLPDDR・グラフィックスGDDR・ 広帯域HBM の4ファミリーに分かれ、それぞれが世代を重ねている。 規格別の世代表に加えて、Samsung・SK hynix・Micron・台湾勢・中国CXMTが DDR / LPDDR / GDDR / HBM のどこを作るかを銘柄別に整理する。
① マトリックス表 — ファミリー × 世代タイムライン
行＝4ファミリー、列＝時代区切り。各セルに該当規格のデータレート・帯域・代表採用先を載せ、 現行主流はファミリー色で塗り、次世代は破線で示す。
| ファミリー | 〜2015 | 2016–19 | 2020–22 | 2023–25 | 次世代 |
|---|---|---|---|---|---|
| DDR汎用 DDR基準: DIMMモジュール帯域 | DDR3 800–2133 MT/s / 最大 17.0 GB/s（DIMM）PC3-12800 DIMM, 旧サーバー | DDR3 800–2133 MT/s / 最大 17.0 GB/s（DIMM）PC3-12800 DIMM, 旧サーバー DDR4 1600–3200 MT/s / 最大 25.6 GB/s（DIMM）PC4-25600 DIMM, 既存データセンター | DDR4 1600–3200 MT/s / 最大 25.6 GB/s（DIMM）PC4-25600 DIMM, 既存データセンター DDR5 現行主流4800–8800 MT/s / 最大 ~70 GB/s（MRDIMM）DDR5 RDIMM/MRDIMM サーバー, 一般PC | DDR5 現行主流4800–8800 MT/s / 最大 ~70 GB/s（MRDIMM）DDR5 RDIMM/MRDIMM サーバー, 一般PC | DDR6 次世代想定値~12800–17600 MT/s（想定） / ~100 GB/s 級（想定）—（仕様策定中） |
| LPDDRモバイル LPDDR基準: パッケージ帯域 | LPDDR3 1600–2133 MT/s / 最大 17 GB/s（パッケージ）2010年代のスマホ・タブレット | LPDDR3 1600–2133 MT/s / 最大 17 GB/s（パッケージ）2010年代のスマホ・タブレット LPDDR4 / 4X 3200–4267 MT/s / ~34 GB/s（パッケージ）中位スマホ, IoT, 車載 | LPDDR4 / 4X 3200–4267 MT/s / ~34 GB/s（パッケージ）中位スマホ, IoT, 車載 LPDDR5 / 5X 現行主流6400–8533 MT/s / ~77 GB/s（パッケージ）フラッグシップ スマホ, Copilot+ PC, NVIDIA GB200 SOCAMM | LPDDR5 / 5X 現行主流6400–8533 MT/s / ~77 GB/s（パッケージ）フラッグシップ スマホ, Copilot+ PC, NVIDIA GB200 SOCAMM | LPDDR6 次世代10667–14400 MT/s（想定） / ~115 GB/s（パッケージ・想定）スマホSoC・AI PC（立ち上がり） |
| GDDRグラフィックス GDDR基準: 1デバイス帯域 | GDDR5 ~8 Gbps/pin / ~32 GB/s（デバイス）PS4世代, GTX 1080以前のGPU | GDDR5 ~8 Gbps/pin / ~32 GB/s（デバイス）PS4世代, GTX 1080以前のGPU | GDDR6 14–16 Gbps/pin / ~64 GB/s（デバイス）RTX 30シリーズ, PS5世代 GDDR6X 想定値19–24 Gbps/pin / ~84 GB/s（デバイス）RTX 30/40 シリーズ | GDDR6X 想定値19–24 Gbps/pin / ~84 GB/s（デバイス）RTX 30/40 シリーズ GDDR7 現行主流28–32 Gbps/pin（PAM3） / ~128 GB/s（デバイス）RTX 50シリーズ, 次世代AIインファレンス | GDDR7 現行主流28–32 Gbps/pin（PAM3） / ~128 GB/s（デバイス）RTX 50シリーズ, 次世代AIインファレンス |
| HBM広帯域 HBM基準: 1スタック帯域 | — | HBM2 ~2.4 Gbps/pin × 1024 IO / ~256 GB/s（スタック）NVIDIA P100/V100, AMD MI50 | HBM2E ~3.6 Gbps/pin × 1024 IO / ~460 GB/s（スタック）NVIDIA A100, Google TPU v4 | HBM3 ~6.4 Gbps/pin × 1024 IO / ~819 GB/s（スタック）NVIDIA H100, AMD MI300A HBM3E 現行主流~9.6 Gbps/pin × 1024 IO / ~1.2 TB/s（スタック）NVIDIA H200/B200, AMD MI300X/MI325X | HBM4 次世代~8〜11 Gbps/pin × 2048 IO / ~2.0 TB/s（スタック）NVIDIA Vera Rubin（2026/6 GTC Taipei で full production 開始、SK hynix/Samsung/Micron 3社から供給） HBM4E 次世代想定値~10〜13 Gbps/pin × 2048 IO（想定） / ~2.4+ TB/s（スタック想定）Samsung が 2026/5 に 12-layer HBM4E サンプル出荷を先行（SF4 base die + 1c DRAM） |
② メーカー/銘柄別 — 誰がどのDRAMを作るか
行＝メーカー、列＝DRAMファミリー。3強は DDR5・LPDDR5系・GDDR7・HBM を横展開し、 Nanya / Winbond / PSMC は汎用・組込み・受託寄り、CXMT は中国国内向け DDR / LPDDR の台頭プレイヤーとして見る。
| メーカー / 銘柄 | DDR汎用 DDR | LPDDRモバイル LPDDR | GDDRグラフィックス GDDR | HBM広帯域 HBM | 読み筋 |
|---|---|---|---|---|---|
| サムスン電子005930.KS / 韓国総合DRAM最大手。スマホ内製需要、サーバーDDR、GDDR、HBMまで全方位。 | ◎ 主戦場DDR5 / DDR4サーバー・PC向けDDR5を主力化。DDR4も産業・既存基盤向けに残る。 | ◎ 主戦場LPDDR5X / LPDDR6スマホ、AI PC、車載向け。10.7Gbps級LPDDR5Xを量産、次世代LPDDR6へ移行。 | ◎ 主戦場GDDR7 / GDDR624Gb GDDR7を含む高速グラフィックスDRAM。GPU、ゲーム機、AI推論向け。 | ○ 製品ありHBM3E / HBM4 / HBM4E2026/2 に 12-layer HBM4 を mass production 開始（11.7Gbps、規格超え）。2026/5 には HBM4E（>20% 高速、SF4 base die + 1c DRAM）サンプル出荷を先行。HBM3Eで出遅れた分を HBM4 世代でキャッチアップ。 | HBMだけでなく、GDDR7とLPDDR5X/LPDDR6系の採用拡大も収益ミックスを押し上げる。 |
| SKハイニックス000660.KS / 韓国メモリ専業。HBMで先行しつつ、DDR5・LPDDR・GDDRも高性能品へ寄せる。 | ◎ 主戦場DDR5 / MCR・MRDIMM系サーバーDDR5と高容量RDIMMが中心。データセンター向け認証が重要。 | ◎ 主戦場LPDDR5T / LPDDR5X9.6Gbps LPDDR5T、LPDDR5XベースのSOCAMM2など低電力AIサーバー向けへ拡張。 | ○ 製品ありGDDR732Gbps、条件次第で40Gbps級を掲げる次世代グラフィックスDRAM。 | ◎ 主戦場HBM3E / HBM4 / HBM4 16-HiAIアクセラレータ向けHBMの首位。HBM3E（Blackwell系）と HBM4（Vera Rubin系）の両方で最大シェア（HBM4 全体~55-60%）。Q3 2026 に 16-layer HBM4 量産を控える。 | AIサーバー向けはHBMが主役だが、SOCAMM/LPCAMM系のLPDDR転用も見ておく。 |
| マイクロンMU / 米国米国唯一の大手DRAMメーカー。Crucial等の最終製品より、DRAMチップ供給が本丸。 | ◎ 主戦場DDR5サーバー・PC向けDDR5。高容量DIMMと低消費電力を訴求。 | ◎ 主戦場LPDDR5X1γ世代で10.7Gbps級。スマホ、AI PC、車載、データセンター低電力用途。 | ◎ 主戦場GDDR7 / GDDR6XGDDR6XはMicron/NVIDIA色が強い。GDDR7は32Gbps級でGPU・AI推論へ。 | ○ 製品ありHBM3E / HBM42024年にHBM3Eで NVIDIA H200/B200 向け量産開始、2026/Q1 から HBM4 (36GB 12-Hi) volume shipment（NVIDIA Vera Rubin 採用）。3番手だが ramp 速度は自社HBM3E時の2倍ペース、2026年HBM4容量は売り切れ。 | DDR5・LPDDR5X・GDDR7・HBM3E/HBM4の同時立ち上がりで、AI以外の高性能DRAMも効く。 |
| ナンヤテクノロジー2408.TW / 台湾台湾DRAM専業。3強がHBMへ能力を寄せるほど、汎用DRAM逼迫の恩恵を受けやすい。 | △ ニッチDDR3 / DDR4 / DDR5DDR2からDDR5までの標準DRAMを掲げるが、主戦場は汎用・レガシー寄り。 | ◇ 開発・限定LPDDR4X / LPDDR5系LPDDR5/5Xを製品群に掲げる。量・顧客採用は3強より限定的に見る。 | — 対象外対象外GPU向けGDDRの主要サプライヤーではない。 | — 対象外対象外HBMは手掛けない。汎用DRAM需給を見る銘柄。 | DDR3/DDR4の価格上昇に敏感。DDR5/LPDDR5は立ち上げ・開発進捗を確認する銘柄。 |
| ウィンボンド2344.TW / 台湾組込み・低容量メモリが中心。DRAMは高性能競争ではなく、産業機器・IoTの長寿命需要を取る。 | △ ニッチDDR3 / DDR4 / Specialty20nm DDR4、DDR3、低容量品など。高容量サーバーDDR5とは別市場。 | △ ニッチLPDDR4 / 4X低容量LPDDR4/4X、HyperRAMなどを組込み・エッジAI向けに供給。 | — 対象外対象外GPU向け高速GDDRの主要プレイヤーではない。 | — 対象外対象外HBMは対象外。特殊DRAMと不揮発性メモリが中心。 | HBM相場ではなく、レガシーDRAM不足、産業・車載・AIoT需要の代理指標。 |
| CXMT（長鑫存儲）非上場 / 中国中国のDRAM専業。国内スマホ・PC向けでDDR/LPDDRを内製化する政策色の強いプレイヤー。 | ○ 製品ありDDR4 / DDR5DDR5チップとDDR4製品を掲げる。グローバル大手比では品質・量産安定性の確認が必要。 | ○ 製品ありLPDDR4X / LPDDR5/5Xスマホ向けLPDDR5/5Xを展開。中国国内OEM向けの存在感が増す。 | — 対象外対象外GDDR主要サプライヤーとしては見ない。 | ◇ 開発・限定研究・開発段階HBMは将来テーマ。現時点の比較軸はDDR/LPDDR。 | 上場銘柄ではないが、DDR4/DDR5の価格、台湾勢の競争環境を見る上で重要。 |
| PSMC（力晶積成）6770.TW / 台湾DRAMブランドよりメモリファウンドリ色が強い。ニッチDRAMを受託製造する側として見る。 | △ ニッチニッチDRAM受託2x nm級DRAM/Flashファウンドリ。顧客設計の特殊DRAMを製造。 | ◇ 開発・限定顧客設計次第自社標準LPDDRの量産ブランドというより、受託・カスタムDRAMの位置づけ。 | — 対象外対象外GDDR主要サプライヤーではない。 | ◇ 開発・限定3D/WoW技術HBM標準品ではなく、3D積層・AIメモリ技術テーマとして見る。 | DDR銘柄というより、レガシーDRAM不足時のファウンドリ受託・プロセス更新が材料。 |
③ バブルチャート — 用途 × 代表帯域（対数）
X軸＝ファミリーの主戦場（PC/モバイル/GPU/AI）、Y軸＝代表帯域の対数。 バブルの大きさで現行主流（実線・大）／次世代（破線・中）／旧世代（小）を区別する。 帯域基準はファミリーごとに異なるため、桁感の俯瞰として読む。
④ 系統図 — 大分類 → ファミリー → 世代
ルート「DRAM」から4ファミリーに枝分かれし、それぞれが世代を右へ伸ばす。 分類の親子関係を一番はっきり見る図。
DRAM
DDR汎用 DDRPC・サーバーPC・サーバー向けの主流DRAM。DIMM/RDIMM/MRDIMMで提供される。
DDR3
2007〜
最大 17.0 GB/s（DIMM）
→
DDR4
2014〜
最大 25.6 GB/s（DIMM）
→
DDR5現行主流
2020〜
最大 ~70 GB/s（MRDIMM）
→
DDR6次世代
2027前後（予定）
~100 GB/s 級（想定）
LPDDRモバイル LPDDRモバイル・AI PCスマホ・ノートPC・車載向けの低消費電力DRAM。AI PC/サーバー向け SOCAMM/LPCAMM2 も拡大中。
LPDDR3
2012〜
最大 17 GB/s（パッケージ）
→
LPDDR4 / 4X
2014〜
~34 GB/s（パッケージ）
→
LPDDR5 / 5X現行主流
2019〜
~77 GB/s（パッケージ）
→
LPDDR6次世代
2026〜（予定）
~115 GB/s（パッケージ・想定）
GDDRグラフィックス GDDRGPU・ゲーム機GPU・ゲーム機向け。高クロック・ピン当たりの転送レートで広帯域を稼ぐ。
GDDR5
2008〜
~32 GB/s（デバイス）
→
GDDR6
2018〜
~64 GB/s（デバイス）
→
GDDR6X
2020〜
~84 GB/s（デバイス）
→
GDDR7現行主流
2024〜
~128 GB/s（デバイス）
HBM広帯域 HBMAI・HPCTSV積層で複数DRAMダイを縦に重ねた広帯域メモリ。AIアクセラレータ向け。
HBM2
2016〜
~256 GB/s（スタック）
→
HBM2E
2019〜
~460 GB/s（スタック）
→
HBM3
2022〜
~819 GB/s（スタック）
→
HBM3E現行主流
2024〜
~1.2 TB/s（スタック）
→
HBM4次世代
2026〜（量産中）
~2.0 TB/s（スタック）
→
HBM4E次世代
2026〜（サンプル）
~2.4+ TB/s（スタック想定）
全規格スペック一覧
| ファミリー / 規格 | 登場時期 | データレート | 帯域（代表値） | 主な用途・採用先 | 状態 |
|---|---|---|---|---|---|
| DDR — 汎用 DDR 基準: DIMMモジュール帯域 | |||||
| DDR3 | 2007〜 | 800–2133 MT/s | 最大 17.0 GB/s（DIMM） | 旧世代PC・サーバー PC3-12800 DIMM, 旧サーバー | 旧世代 |
| DDR4 | 2014〜 | 1600–3200 MT/s | 最大 25.6 GB/s（DIMM） | PC・サーバー（前世代の主流） PC4-25600 DIMM, 既存データセンター | 旧世代 |
| DDR5 | 2020〜 | 4800–8800 MT/s | 最大 ~70 GB/s（MRDIMM） | PC・サーバー（現行主流） DDR5 RDIMM/MRDIMM サーバー, 一般PC | 現行主流 |
| DDR6 | 2027前後（予定） | ~12800–17600 MT/s（想定） | ~100 GB/s 級（想定） | 次世代サーバー（規格策定中） —（仕様策定中） ※ JEDEC 策定中。値はベンダー公表ロードマップからの想定。 | 次世代想定値 |
| LPDDR — モバイル LPDDR 基準: パッケージ帯域 | |||||
| LPDDR3 | 2012〜 | 1600–2133 MT/s | 最大 17 GB/s（パッケージ） | 旧世代スマホ 2010年代のスマホ・タブレット | 旧世代 |
| LPDDR4 / 4X | 2014〜 | 3200–4267 MT/s | ~34 GB/s（パッケージ） | スマホ・車載・組込 中位スマホ, IoT, 車載 | 旧世代 |
| LPDDR5 / 5X | 2019〜 | 6400–8533 MT/s | ~77 GB/s（パッケージ） | スマホ・AI PC・AIサーバー フラッグシップ スマホ, Copilot+ PC, NVIDIA GB200 SOCAMM | 現行主流 |
| LPDDR6 | 2026〜（予定） | 10667–14400 MT/s（想定） | ~115 GB/s（パッケージ・想定） | 次世代モバイル・AIエッジ スマホSoC・AI PC（立ち上がり） ※ JEDEC JESD209-6 として2025年策定。製品はこれから。 | 次世代 |
| GDDR — グラフィックス GDDR 基準: 1デバイス帯域 | |||||
| GDDR5 | 2008〜 | ~8 Gbps/pin | ~32 GB/s（デバイス） | 旧世代GPU・ゲーム機 PS4世代, GTX 1080以前のGPU | 旧世代 |
| GDDR6 | 2018〜 | 14–16 Gbps/pin | ~64 GB/s（デバイス） | GPU・ゲーム機 RTX 30シリーズ, PS5世代 | 旧世代 |
| GDDR6X | 2020〜 | 19–24 Gbps/pin | ~84 GB/s（デバイス） | ハイエンドGPU RTX 30/40 シリーズ ※ Micron / NVIDIA 独自規格。JEDEC 標準ではない。 | 旧世代想定値 |
| GDDR7 | 2024〜 | 28–32 Gbps/pin（PAM3） | ~128 GB/s（デバイス） | GPU・ゲーム機（現行主流） RTX 50シリーズ, 次世代AIインファレンス ※ JEDEC JESD239。PAM3 シグナリングを採用。 | 現行主流 |
| HBM — 広帯域 HBM 基準: 1スタック帯域 | |||||
| HBM2 | 2016〜 | ~2.4 Gbps/pin × 1024 IO | ~256 GB/s（スタック） | 旧世代AI/HPCアクセラレータ NVIDIA P100/V100, AMD MI50 | 旧世代 |
| HBM2E | 2019〜 | ~3.6 Gbps/pin × 1024 IO | ~460 GB/s（スタック） | AI/HPCアクセラレータ NVIDIA A100, Google TPU v4 | 旧世代 |
| HBM3 | 2022〜 | ~6.4 Gbps/pin × 1024 IO | ~819 GB/s（スタック） | AIアクセラレータ NVIDIA H100, AMD MI300A | 旧世代 |
| HBM3E | 2024〜 | ~9.6 Gbps/pin × 1024 IO | ~1.2 TB/s（スタック） | AIアクセラレータ（現行主流） NVIDIA H200/B200, AMD MI300X/MI325X | 現行主流 |
| HBM4 | 2026〜（量産中） | ~8〜11 Gbps/pin × 2048 IO | ~2.0 TB/s（スタック） | 次世代AIアクセラレータ（量産中） NVIDIA Vera Rubin（2026/6 GTC Taipei で full production 開始、SK hynix/Samsung/Micron 3社から供給） ※ 2026年HBM4容量は3社とも売り切れ。シェアは SK hynix ~55-60%、Samsung ~30%、Micron 10-20%+。なお Blackwell 系は引き続き HBM3E で、出荷volumeでは依然 HBM3E が主流。 | 次世代 |
| HBM4E | 2026〜（サンプル） | ~10〜13 Gbps/pin × 2048 IO（想定） | ~2.4+ TB/s（スタック想定） | 次々世代AIアクセラレータ Samsung が 2026/5 に 12-layer HBM4E サンプル出荷を先行（SF4 base die + 1c DRAM） ※ HBM4 比 +20% 以上の帯域・~30% 高容量を目指す世代。本格量産は 2027 年以降。 | 次世代想定値 |
出所
- JEDEC 公開仕様（JESD79-4/5, JESD209-4/5/6, JESD239, JESD238 系）— DDR/LPDDR/GDDR/HBM の規格本体。本ページの規格名・データレート・帯域は本仕様の代表値を参照。
- Samsung Semiconductor / SK hynix / Micron 公式プロダクトページ— 各規格の代表データレート・帯域・採用例（HBM3E など）は各メーカー製品リリースから拾う。
- Nanya / Winbond / CXMT / PSMC 公式製品・サービスページ— 台湾・中国系プレイヤーの DDR、LPDDR、Specialty DRAM、DRAM ファウンドリの範囲確認に使用。
- NVIDIA / AMD 公式 GPU・アクセラレータ仕様— H100/H200/B200, MI300X 等の HBM 採用世代と GDDR7 採用 GPU の確認に使用。
- BusinessWire / JEDEC リリース（GDDR7 / LPDDR6 等）— GDDR7 = JESD239、LPDDR6 = JESD209-6 等の確定情報。
各規格のデータレート・帯域は JEDEC 公開仕様と各メーカー製品リリースの代表値。 DDR6 / GDDR6X / HBM4 など一部の数値はベンダーロードマップ・想定値を含むため、表中に「想定値」と明記している。